 ===============================================================================
 «Публичная библиотека» (http://publ.lib.ru)
 ===============================================================================
 Академия наук СССР
 Институт полупроводников
 Б.М. Аскеров
 Кинетические эффекты в полупроводниках
 Ленинград: Издательство «Наука»: Ленинградское отделение, 1970

 УДИ 621.38

 Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. Издательство «Наука», Ленинградское отделение, Л., 1970, 1-303.
 Излагается современная теория гальваномагнитных и термомагнитных явлений в полупроводниках. Рассмотрены случаи параболической и непараболической зон, а также зоны со многими минимумами. В книге большое место занимает квантовая теория кинетических эффектов. Учитывается влияние непараболичности зоны проводимости на кинетические эффекты в квантующем магнитном поле. Подробно излагаются основные выводы теории осцилляции Шубникова - де Гааза и магнитофононной осцилляции. Развита квантовая теория эффекта Нернста-Эттингсгаузена. В отличие от существующих книг, посвященных кинетической теории полупроводников, здесь изложены классическая и квантовая теории гальваномагнитных и термомагнитных явлений, охвачены все практически важные модели энергетических зон. Библ. - 365 назв., илл. - 25, табл. - 11.

 Ответственный редактор С.С. Шалыт

 ОГЛАВЛЕНИЕ:
 Предисловие (3).
 Введение (5).
 Глава I. Основы зонной теории твердых тел и равновесие носителей тока в полупроводниках (8).
 §1. Движение свободного электрона (10).
 §2. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке (12).
 §3. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна (18).
 §4. Эффективная масса носителей тока (27).
 §5. Структура зон некоторых полупроводников. Различные модели зон 33
 §6. Статистика носителей тока в полупроводниках (40).
 §7. Вычисление химического потенциала в полупроводниках (48).
 Глава II. Кинетическое уравнение и время релаксации (54).
 §8. Феноменологическое определение кинетических эффектов и их взаимная связь (54).
 §9. Кинетическое уравнение (60).
 §10. Решение кинетического уравнения для сферически-симметричной зоны (66).
 §11. Различные механизмы релаксации электронов в полупроводниках (70).
 Глава III. Термоэлектрические явления в полупроводниках (82).
 §12. Подвижность носителей тока в полупроводниках. Электронная часть теплопроводности (82).
 §13. Термоэдс полупроводников с параболической зоной (84).
 §14. Эффект Томсона (86).
 §15. Эффект Пельтье (87).
 Глава IV. Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты в полупроводниках со стандартной зоной (90).
 §16. Примесная проводимость. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (94).
 §17. Примесная проводимость. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (104).
 §18. Смешанная проводимость. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (107).
 §19. Смешанная проводимость. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (111).
 §20. Кинетические эффекты при учете смешанного механизма рассеяния (113).
 Глава V. Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты в полупроводниках со сферической нестандартной зоной (124).
 §21. Кинетические эффекты в отсутствие магнитного поля (125).
 §22. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (130).
 §23. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (132).
 §24. Кинетические эффекты в полупроводниках в трехзонном приближении (135).
 §25. Определение основных параметров вырожденных полупроводников (139).
 Глава VI. Кинетические эффекты в полупроводниках со многими минимумами (145).
 §26. Решение кинетического уравнения для эллипсоидальной поверхности постоянной энергии (146).
 §27. Тензоры проводимости германия и кремния (148).
 §28. Анизотропия кинетических эффектов в поперечном магнитном поле (153).
 §29. Анизотропия кинетических эффектов в продольном магнитном поле (156).
 §30. Кинетические эффекты в теллуристом висмуте (161).
 Глава VII. Квантовая теория гальваномагнитных явлений (166).
 §31. Движение электрона в однородном магнитном поле. Уровни Ландау (166).
 §32. Химический потенциал и критерий вырождения электронов проводимости в квантующем магнитном поле (173).
 §33. Поперечное магнетосопротивление. Осцилляции Шубникова - де Гааза (179).
 §34. Поперечное магнетосопротивление в полупроводниках с нестандартной зоной (195).
 §35. Продольное магнетосопротивление в полупроводниках (207).
 §36. Магнетофононные осцилляции в полупроводниках (213).
 Глава VIII. Квантовая теория термомагнитных явлений (232).
 §37. Продольные термомагнитные эффекты в полупроводниках в квантующем магнитном поле (233).
 §38. Термоэдс в поперечном квантующем магнитном поле (238).
 §39. Квантовая теория эффекта Нернста - Эттингсгаузена в полупроводниках (244).
 Приложение А (258).
 Приложение Б1 (259).
 Приложение Б2 (260).
 Приложение В (261).
 Приложение Г. 2С2
 Приложение Д (270).
 Литература (292).

 Бихрам Мехрали оглы Аскеров
 КИНЕТИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
 Утверждено к печати Институтом полупроводников АН СССР
 Редактор издательства А.Л. Иванова
 Технический редактор А.В. Смирнова
 Корректоры Г.А. Александрова и К.И. Видре
 Сдано в набор 1/VIII 1969 г. Подписано к печати 5/VI 1970 г. Тираж 5200. Цена 1 р. 60 к.
 Ленинградское отделение издательства «Наука». Ленинград.
 ===============================================================================
 *** О П И С А Н И Е * И З Д А Н И Я *** 5.4 ***
 ===============================================================================
 |ТИТУЛ ВЕБ-СТРАНИЦЫ¦ Аскеров Бихрам Мехрали оглы
 |СЕРИЯ, ГОД, НОМЕР ¦
 |АВТОРЫ... НАЗВАНИЕ¦ Аскеров Б.М._ Кинетические эффекты в полупроводниках.
 |НАЗВАНИЕ ОРИГИНАЛА¦
 |ЖАНР-ФОРМА-ВИД-ТИП¦
 Автор: Бихрам Мехрали оглы Аскеров.
 Ответственный редактор: С.С. Шалыт.
 |ИЗДАТЕЛЬ. - СЕРИЯ ¦ Ленинград: Издательство «Наука»: Ленинградское отделение, 1970. - Академия наук СССР. Институт полупроводников
 |АВТОРЫ ФАЙЛА И OCR¦ Скан, обработка, формат Pdf: derevyaha, fire_varan, доработка, формат Pdf: звездочет, 2025
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ПАПКИ¦ Askerov_Bihram_Mehrali_ogly
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ СЕРИИ¦
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ФАЙЛА¦ Askerov_B.M.__Kineticheskie_effekty_v_poluprovodnikah.(1970)
 |ДОПОЛНЕНИЯ К ИМЕНИ¦ [djv] [pdf]
 |ОСНОВНОЕ ИМЯ ОБЛ. ¦ Kevp70
 |АННОТАЦИЯ ИЗДАНИЯ ¦ ИЗ ИЗДАНИЯ:
 Излагается современная теория гальваномагнитных и термомагнитных явлений в полупроводниках. Рассмотрены случаи параболической и непараболической зон, а также зоны со многими минимумами. В книге большое место занимает квантовая теория кинетических эффектов. Учитывается влияние непараболичности зоны проводимости на кинетические эффекты в квантующем магнитном поле. Подробно излагаются основные выводы теории осцилляции Шубникова - де Гааза и магнитофононной осцилляции. Развита квантовая теория эффекта Нернста-Эттингсгаузена. В отличие от существующих книг, посвященных кинетической теории полупроводников, здесь изложены классическая и квантовая теории гальваномагнитных и термомагнитных явлений, охвачены все практически важные модели энергетических зон. Библ. - 365 назв., илл. - 25, табл. - 11.
 |СОДЕРЖАНИЕ ИЗДАНИЯ¦ ОГЛАВЛЕНИЕ:
 Предисловие (3).
 Введение (5).
 Глава I. Основы зонной теории твердых тел и равновесие носителей тока в полупроводниках (8).
 §1. Движение свободного электрона (10).
 §2. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке (12).
 §3. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна (18).
 §4. Эффективная масса носителей тока (27).
 §5. Структура зон некоторых полупроводников. Различные модели зон 33
 §6. Статистика носителей тока в полупроводниках (40).
 §7. Вычисление химического потенциала в полупроводниках (48).
 Глава II. Кинетическое уравнение и время релаксации (54).
 §8. Феноменологическое определение кинетических эффектов и их взаимная связь (54).
 §9. Кинетическое уравнение (60).
 §10. Решение кинетического уравнения для сферически-симметричной зоны (66).
 §11. Различные механизмы релаксации электронов в полупроводниках (70).
 Глава III. Термоэлектрические явления в полупроводниках (82).
 §12. Подвижность носителей тока в полупроводниках. Электронная часть теплопроводности (82).
 §13. Термоэдс полупроводников с параболической зоной (84).
 §14. Эффект Томсона (86).
 §15. Эффект Пельтье (87).
 Глава IV. Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты в полупроводниках со стандартной зоной (90).
 §16. Примесная проводимость. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (94).
 §17. Примесная проводимость. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (104).
 §18. Смешанная проводимость. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (107).
 §19. Смешанная проводимость. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (111).
 §20. Кинетические эффекты при учете смешанного механизма рассеяния (113).
 Глава V. Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты в полупроводниках со сферической нестандартной зоной (124).
 §21. Кинетические эффекты в отсутствие магнитного поля (125).
 §22. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (130).
 §23. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (132).
 §24. Кинетические эффекты в полупроводниках в трехзонном приближении (135).
 §25. Определение основных параметров вырожденных полупроводников (139).
 Глава VI. Кинетические эффекты в полупроводниках со многими минимумами (145).
 §26. Решение кинетического уравнения для эллипсоидальной поверхности постоянной энергии (146).
 §27. Тензоры проводимости германия и кремния (148).
 §28. Анизотропия кинетических эффектов в поперечном магнитном поле (153).
 §29. Анизотропия кинетических эффектов в продольном магнитном поле (156).
 §30. Кинетические эффекты в теллуристом висмуте (161).
 Глава VII. Квантовая теория гальваномагнитных явлений (166).
 §31. Движение электрона в однородном магнитном поле. Уровни Ландау (166).
 §32. Химический потенциал и критерий вырождения электронов проводимости в квантующем магнитном поле (173).
 §33. Поперечное магнетосопротивление. Осцилляции Шубникова - де Гааза (179).
 §34. Поперечное магнетосопротивление в полупроводниках с нестандартной зоной (195).
 §35. Продольное магнетосопротивление в полупроводниках (207).
 §36. Магнетофононные осцилляции в полупроводниках (213).
 Глава VIII. Квантовая теория термомагнитных явлений (232).
 §37. Продольные термомагнитные эффекты в полупроводниках в квантующем магнитном поле (233).
 §38. Термоэдс в поперечном квантующем магнитном поле (238).
 §39. Квантовая теория эффекта Нернста - Эттингсгаузена в полупроводниках (244).
 Приложение А (258).
 Приложение Б1 (259).
 Приложение Б2 (260).
 Приложение В (261).
 Приложение Г. 2С2
 Приложение Д (270).
 Литература (292).
 ===============================================================================